Dissertation

Die Berechnung von Gitterpotentialen und Elektronenlokalisierungsfunktionen (ELF) an ausgewählten MX, MX₂ und MXY-Verbindungen und Untersuchungen zur Kristallchemie von gemischten Halogeniden des Zinns SnFX (X=Cl,Br,I)
T. Beyer, Dissertation, Universität des Saarlandes (1996)

1. Einleitung

2. Die Theorie der Gitterpotentiale
2.1 Historischer Überblick
2.2 Die Anwendung der Elektrostatik in der Kristallchemie
2.3 Potentiale im Bulk
2.4 Potentiale in Kristalloberflächen
2.5 Minimalflächen und Potentialflächen

3. Quantenmechanische Rechenverfahren
3.1 Bedeutung in der Festkörpersimulation
3.2 Die Elektronenlokalisierungsfunktion ELF
3.3 Berechnungsverfahren

4. Experimenteller Teil
4.1 Gemischte Zinnhalogenide (SnFX, X = Cl, Br, I)

5. Potentialberechnungen an einigen ausgewählten Strukturtypen
5.1 Einfache Grundstrukturtypen
5.2 Der PbFCl-Strukturtyp
5.3 Der FeOCl-Strukturtyp
5.4 Der Bleichlorid-Strukturtyp
5.5 Weitere Strukturtypen binärer und ternärer ionogener Verbindungen

6. ELF-Berechnungen an einigen ausgewählten Strukturtypen
6.1 Blei- und Zinnhalogenide im Bleichlorid-Typ
6.2 Blei- und Wismutverbindungen im PbFCl-Typ
6.3 Zusammenhänge zwischen der Topologie von POPS bzw. PEPS und ELF

7. Zusammenfassung

8. Ausblick

9. Anhang
9.1 Arbeitsmethoden
9.2 Computerprogramme
9.3 Einheiten und Umrechnungsfaktoren
9.4 Fehlerabschätzung und Konvergenzproblematik
9.5 Gittertransformationen
9.6 Die Fehlerfunktion
9.7 Ableitung der Ewald-Formeln
9.8 Umformung der Ewald-Juretschke-Formel
9.9 Strukturdaten
9.10 PMF*-Werte und korrigierte Ionenladungen
9.11 d-Werttabellen zu Kapitel 4

10. Verzeichnisse
10.1 Literatur
10.2 Abbildungen und Tabellen
10.3 Abkürzungen und Variablen

Referenzen

Festkörperchemie 1998, Nachr. Chem. Tech. Lab. 47 (1999) 143-153 (Erwähnung):
"...Durch die Erweiterung auf Ober- und Grenzflächen hat eines der grundlegenden Instrumente der Kristallchemie, die Betrachtung von Gitterpotentialen, eine wesentliche und aktuelle Erweiterung erfahren. So kann beispielsweise ein "Surface Madelung Factor" berechnet werden, der unabhängig von der Gitterkonstante ist und bezüglich einer bestimmten Oberfläche für alle Mitglieder eines Strukturtyps den gleichen Wert hat. Damit lassen sich Coulomb-Potentiale in und zwischen epitaktisch verknüpften Kristallen berechnen. Mit Hilfe dieser Potentiale sollte eine Aussage über Stabilität und Reaktivität von Ober- und Grenzflächen von Ionenkristallen möglich sein..."